純進(jìn)口HQ graphene 硒化鎵晶體

產(chǎn)品名稱(chēng)

中文名稱(chēng): 純進(jìn)口HQ graphene 硒化鎵晶體

英文名稱(chēng)：HQ graphene  2H phase Gallium Selenide

產(chǎn)品概述

GaSe （2H相）是一種間接帶隙為~2.1 eV的半導(dǎo)體。GaSe已被用作半導(dǎo)體、光導(dǎo)體、非線性光學(xué)中的二次諧波產(chǎn)生晶體和遠(yuǎn)紅外轉(zhuǎn)換材料。這些層通過(guò)范德華相互作用堆疊在一起，可以剝離成薄的二維層。GaSe屬于13族過(guò)渡后金屬單硫族化合物。硒化鎵的2H相具有典型的橫向尺寸為~0.6 ~ 0.8 cm，具有深銅金屬外觀。 

GaSe (2H phase) is a semiconductor with an indirect band gap of ~2.1 eV. GaSe has been used as a semiconductor, photoconductor, a second harmonic generation crystal in nonlinear optics and as a far-infrared conversion material. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. GaSe belongs to the group-13 post-transition metal monochalcogenides.

The 2H phase of Gallium Selenide has a typical lateral size of ~0.6-0.8 cm and has a dark-copper metallic appearance.

技術(shù)參數(shù)

純度: 99.995%

尺寸:0.6 ~ 0.8 cm

顏色: 棕色

產(chǎn)品特點(diǎn)

Electrical properties：Semiconductor

Crystal structure：Hexagonal

Unit cell parameters：a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120°

Type：Synthetic

應(yīng)用領(lǐng)域

在光電領(lǐng)域：

太陽(yáng)能電池：硒化鎵晶體具有合適的能帶結(jié)構(gòu)和較高的光吸收系數(shù)，可用于制造高效的太陽(yáng)能電池。例如，在多結(jié)太陽(yáng)能電池中，硒化鎵可以作為其中的一個(gè)子電池，吸收特定波長(zhǎng)的太陽(yáng)光，從而提高整個(gè)電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

光電探測(cè)器：能夠?qū)μ囟úㄩL(zhǎng)的光產(chǎn)生響應(yīng)，可用于制造高性能的光電探測(cè)器。比如在紅外光電探測(cè)器中，硒化鎵晶體可以檢測(cè)到紅外光信號(hào)，并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。

在半導(dǎo)體領(lǐng)域：

半導(dǎo)體器件：可用于制造各種半導(dǎo)體器件，如晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管等。例如，在高頻和高速電子器件中，硒化鎵晶體的優(yōu)良電學(xué)性能有助于提高器件的工作頻率和速度。

在光學(xué)領(lǐng)域：

非線性光學(xué)材料：具有非線性光學(xué)特性，可用于制作倍頻器、光調(diào)制器等非線性光學(xué)器件。比如在激光系統(tǒng)中，硒化鎵晶體可以實(shí)現(xiàn)激光頻率的倍頻。